2022-06-15 12:33

工研院分別與台積電及陽明交大合作開發新半導體技術，將可應用在未來許多領域。圖／工研院提供

工研院在今天宣布已與陽明交大合作研發出工作溫度橫跨近400度的磁性記憶體技術，並發表在VLSI超大型積體技術及電路國際會議，該技術具許多突破性特色，未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。

工研院指出，這次所發表的是新興磁性記憶體高效能運作技術，可以提高記憶體寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數，更已經實驗證實可在127度到零下269度範圍具有穩定且高效能的資料存取能力。

工研院說，如此橫跨400度溫度的穩定存取能力，最有望應用在航太領域，同時未來發展量子電腦技術上，也能夠更適用，對於台灣半導體產業在世界占據關鍵位置又多了一重不可或缺的地位。

此外，工研院也與台積電合作開發出世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，比歐洲最大的半導體研究機構比利時微電子研究中心多100倍，還有超過10年資料儲存能力等特性。