2023-04-17 15:09

【財訊快報／記者張家瑋報導】俄烏戰爭打響低軌衛星引用商機，GaN（氮化鎵）應用更從地面基站飛向太空，為因應外太空嚴苛環境要求，全球GaN功率元件大廠EPC（宜普）宣布推出抗輻射GaN功率轉換解決方案，兩款分別為100 V與200 V之GaN元件，積極搶攻全球布建星鏈商機。隨著通訊、觀測應用需求增加，低軌衛星如雨後春筍一般冒出，全球四大低軌衛星營運商美國SpaceX、英國OneWeb、美國Kuiper，加拿大Telesat在今年馬不停蹄均有發射低軌衛星計畫，根據研調機構Grand View Research調查顯示，2023年全球衛星產值達3,083億美元，全球將有1328顆低軌衛星會開始商轉，所蘊含商機無限。

因應未來快速成長趨勢，EPC宣布推出兩款新型抗輻射GaN FET，其中一款為EPC7020電壓200 V、170 A脈衝之抗輻射 GaN FET，其面積僅為12平方公釐。另一款為EPC7003電壓值100 V、42 A脈衝之抗輻射GaN FET，面積僅為1.87平方公釐。

EPC表示，GaN FET之可靠性高，在有限空間中比矽基元件面積更小，效能更大幅提升40倍，而且成本更低廉，與矽基解決方案相比，GaN元件可支援更高總輻射和SEE LET水準。未來該GaN FET可應用於DC-DC電源轉換器、電機驅動器、Lidar、深度探測器和用於空間應用之離子推進器、衛星和航空電子設備等。